随着小型化系统集成度的提高，金属氧化物半导体(MOS)器件 尺寸急剧减小．最近发展起来的先进MOS器件 的设计和实现要求新的表征技术，这种技术必须给出包含各种物理效应的可靠的器件参数．对于MOS器件热载流子效应的表征，较为经典的是用电荷泵方法测得的阈值电压漂移和跨导退化AG．但是，随着器件尺寸的减小，与栅面积A。成正比的电荷泵电流非常小，这些参数的测量非常困难．
发布日期：2011-05-06 浏览次数：982
文章摘要：随着小型化系统集成度的提高，金属氧化物半导体(MOS)器件 尺寸急剧减小．最近发展起来的先进MOS器件 的设计和实现要求新的表征技
随着小型化系统集成度的提高，金属氧化物半导体(MOS)器件 尺寸急剧减小．最近发展起来的先进MOS器件 的设计和实现要求新的表征技术，这种技术必须给出包含各种物理效应的可靠的器件参数．对于MOS器件热载流子效应的表征，较为经典的是用电荷泵方法测得的阈值电压漂移和跨导退化AG．但是，随着器件尺寸的减小，与栅面积A。成正比的电荷泵电流非常小，这些参数的测量非常困难．
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