本文主要从直流测试人手，采用了非破坏性的方便的磁阻法直接在低噪声器件上测定沟道的磁阻迁移率和低源漏偏压下的FET特性，研究沟道迁移率分布对器件噪声的影响。通过迁移率分布的研究，探讨器件对材料性能的要求。
发布日期：2011-05-06 浏览次数：1022
文章摘要：本文主要从直流测试人手，采用了非破坏性的方便的磁阻法直接在低噪声器件上测定沟道的磁阻迁移率和低源漏偏压下的FET特性，研究
本文主要从直流测试人手，采用了非破坏性的方便的磁阻法直接在低噪声器件上测定沟道的磁阻迁移率和低源漏偏压下的FET特性，研究沟道迁移率分布对器件噪声的影响。通过迁移率分布的研究，探讨器件对材料性能的要求。
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