GaA s FET的噪声系数低，资用功率增益高，在各类军用和 民用微波系统中，都是一种有竞争力的实用低噪声器件 无论是这种低噪声 GaAs FET的研制还是应用开发，均需要进行噪声系数和资用功率增益的铡量。在通常如图 1所示的测量系统中，用扫频方法铡得的是转换功率增益而不是资用功率增益。
发布日期：2011-05-06 浏览次数：574
文章摘要：GaA s FET的噪声系数低，资用功率增益高，在各类军用和 民用微波系统中，都是一种有竞争力的实用低噪声器件 无论是这种低噪声 Ga
GaA s FET的噪声系数低，资用功率增益高，在各类军用和 民用微波系统中，都是一种有竞争力的实用低噪声器件 无论是这种低噪声 GaAs FET的研制还是应用开发，均需要进行噪声系数和资用功率增益的铡量。在通常如图 1所示的测量系统中，用扫频方法铡得的是转换功率增益而不是资用功率增益。
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