直到现在，所有发表的文猷都基于用Al作接触的扩散或者注入晶体管。现在的自对准双极工艺把多晶硅引入制作流程中，显著地改善了电流增益，从而使得双极器件的纵向尺寸得以减小。相当高的电流增益使这种多晶硅发射极BJT可作模拟应用，这些应用对器件的噪声是很灵敏的。自对准B JT中的多晶硅既可用作接触，有时也用作发射极和非本征基区的扩散源。过 去已提出过，器件工艺的发展，新材料和新设备的使用，对低频噪声性能的改善有很大影响。然而，迄今为止，还没有这类的研究。本文的目的 旨在给出有关这些自对准多晶硅发射摄BJT中E—B过量噪声的一些初步结果。