引 言
在以往的无线接收机 中,射频前端一般采用GaAs、双极或 BiCMOS工艺,功耗大且不适于集成。随着射频 CMOS集成电路技术的发展,已能实现高频下的低成本、低功耗和高集成度[1]。所以,在各种无线通信系统中应用 CMOS技术实现射频前端变得很有吸引力,且有望在单芯片上集成整个系统[3]。
发布日期:2011-05-06 浏览次数:737
文章摘要:引言在以往的无线接收机 中,射频前端一般采用GaAs、双极或 BiCMOS工艺,功耗大且不适于集成。随着射频 CMOS集成电路技术的发展
引 言
在以往的无线接收机 中,射频前端一般采用GaAs、双极或 BiCMOS工艺,功耗大且不适于集成。随着射频 CMOS集成电路技术的发展,已能实现高频下的低成本、低功耗和高集成度[1]。所以,在各种无线通信系统中应用 CMOS技术实现射频前端变得很有吸引力,且有望在单芯片上集成整个系统[3]。
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