2002年06月，英特尔的研究人员已经开发出全球最小的SRAM(静态随机存储器)单元，尺寸只有1平方微米。这种52MB的单元可充当SRAM设备的构成模块。
英特尔将采用下一代90纳米工艺来制造这种SRAM单元。该公司表示，这一成就是通向预计在2003年采用的新生产工艺的里程碑。英特尔技术和制造集团的高级副总裁和总经理Sunlin Chou表示，SRAM芯片通常都被当成发展下一代逻辑生产工艺的测试载体。
Chou指出，小尺寸的存储单元非常重要，因为它可以使英特尔在微处理器上采用更大容量的缓存和增加整体逻辑密度，减少提升微处理器性能所需的成本。此外，上述SRAM芯片还成功地全面展示了90纳米工艺。Chou说：“英特尔的1平方微米SRAM单元为硅技术建立了一个新的密度基准。这一成就使我们在用于微处理器和其他产品的90纳米工艺上抢占了先机。”
英特尔表示，通过采用90纳米工艺，它可以继续保持每两年采用新一代制造工艺的技术更新速度。该公司将采用90纳米工艺生产其大部分产品，包括微处理器，芯片组，以及通信产品。英特尔计划仅在300MM硅晶圆上采用90纳米工艺，结合使用先进的193纳米和248纳米光刻工具。
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