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KU频段GaAs—FET低噪声放大器

发布日期:2011-05-06  浏览次数:1150

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文章摘要:半导体事业的发展,人们研制出了高性能的GaA S—FET。它噪声系数低,适用频率高,增接太,逮就使得我们有可能用它在频率较高的 K

半导体事业的发展,人们研制出了高性能的GaA S—FET。它噪声系数低,适用频率高,增接太,逮就使得我们有可能用它在频率较高的 Ku频段,研制出低噪声接收设备其优点是体积小.重量轻、成本低,使甩维嫠方伍。

 
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