该双频带 LNA使用 TSMC 0．25／tm 1P5M RF CMOS工艺。工作在900MHz时，电压增益、噪声系数(Noise Figure)分别是 21 dB、2．9 dB；工作在 2．4 GHz时，电压增益、噪声系数分别是 25dB、2．8 dB，在电源电压为 2．5 V时，该 LNA的功耗为 12．5 mW，面积为 1．1minx0．9 rruTt。使用新颖的静电防护(ESD)结构 使得在外围PAD上的保护二极管面积仅为 8／tmX8／tm时，静电防护能力可达 2 kV(人体模型)
发布日期：2011-05-06 浏览次数：398
文章摘要：该双频带 LNA使用 TSMC 0．25／tm 1P5M RF CMOS工艺。工作在900MHz时，电压增益、噪声系数(Noise Figure)分别是 21 dB、2．9 dB
该双频带 LNA使用 TSMC 0．25／tm 1P5M RF CMOS工艺。工作在900MHz时，电压增益、噪声系数(Noise Figure)分别是 21 dB、2．9 dB；工作在 2．4 GHz时，电压增益、噪声系数分别是 25dB、2．8 dB，在电源电压为 2．5 V时，该 LNA的功耗为 12．5 mW，面积为 1．1minx0．9 rruTt。使用新颖的静电防护(ESD)结构 使得在外围PAD上的保护二极管面积仅为 8／tmX8／tm时，静电防护能力可达 2 kV(人体模型)
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