目前，通过大量实验已经弄清楚发射结区体内及表面缺陷(位错、深能级杂质)是晶体管g—r噪声的主要来源，I auritzen于 l96曼年营先提出了PN结内g-r噪声形成机理，认为g-r噪声主要是结区内缺陷形成的复合中心交替发射及捕获载流子，导致复合电流的起伏所致．
发布日期：2011-05-06 浏览次数：675
文章摘要：目前，通过大量实验已经弄清楚发射结区体内及表面缺陷(位错、深能级杂质)是晶体管g—r噪声的主要来源，I auritzen于 l96曼年营先
目前，通过大量实验已经弄清楚发射结区体内及表面缺陷(位错、深能级杂质)是晶体管g—r噪声的主要来源，I auritzen于 l96曼年营先提出了PN结内g-r噪声形成机理，认为g-r噪声主要是结区内缺陷形成的复合中心交替发射及捕获载流子，导致复合电流的起伏所致．
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