现代无线通信技术不断地朝着低成本、便携式的方向发展使得基于 CMOS工艺的射频集成电路成为近年来的研究热点。在射频接收机的设计中，要想得到良好的总体系统性能，前端电路的优化设计尤为关键。而低噪声放大器(LNA)作为无线通信系统射频接收机的第一个功能模块，其噪声特性直接影响着整个接收机的灵敏度和信噪比，它必须在一定的功耗条件下，提供足够的增益、优异的噪声性能、良好的线性度和输入输出匹配。在GHz频率范围内，CMOS工艺相比其他工艺有价格低、集成度高、功耗低等优点，利用 CMOS工艺来设计射频集成电路已经得到越来越广泛的应用，本文即采用 CMOS工艺来实现对一种 3GHz低噪声放大器的优化设计。